IRLR024NTRPBF._热门型号_深圳市鑫创华科技有限公司

商品详细

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-252-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 55 V

Id-连续漏极电流: 17 A

Rds On-漏源导通电阻: 110 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 16 V, + 16 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.8 V

Qg-栅极电荷: 10 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 38 W

通道模式: Enhancement

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Single

高度: 2.3 mm

长度: 6.5 mm

晶体管类型: 1 N-Channel

类型: HEXFET Power MOSFET

宽度: 6.22 mm

商标: Infineon / IR

下降时间: 29 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 74 ns

工厂包装数量: 2000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 20 ns

典型接通延迟时间: 7.1 ns

零件号别名: IRLR024NTRPBF SP001578872

单位重量: 330 mg

常见问题

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