制造商: Infineon 
	产品种类: MOSFET 
	RoHS:  详细信息 
	技术: Si 
	安装风格: Through Hole 
	封装 / 箱体: TO-220-3 
	晶体管极性: N-Channel 
	通道数量: 1 Channel 
	Vds-漏源极击穿电压: 75 V 
	Id-连续漏极电流: 82 A 
	Rds On-漏源导通电阻: 13 mOhms 
	Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V 
	Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V 
	Qg-栅极电荷: 106.7 nC 
	最小工作温度: - 55 C 
	最大工作温度: + 175 C 
	Pd-功率耗散: 200 W 
	通道模式: Enhancement 
	封装: Tube 
	配置: Single 
	高度: 15.65 mm 
	长度: 10 mm 
	晶体管类型: 1 N-Channel 
	宽度: 4.4 mm 
	商标: Infineon / IR 
	产品类型: MOSFET 
	工厂包装数量: 1000 
	子类别: MOSFETs 
	零件号别名: IRF2807PBF SP001550978 
	单位重量: 2 g